弱问：为什么BJT的速度要比MOSFET的快？

ohoh · 发表于 2008-3-9 09:52:09

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课本上在比较双极集成电路与cmos集成电路时，就会提到双极集成电路的优点有：速度快，驱动能力强啊。上课的时候就只是记下来了，但是不知道为什么？

驱动能力强是不是可以这样理解：在相同的条件下，三极管的跨导要比mos管的大，所以在相同的输入电压下，三极管的输出电流要大一些，也就是说驱动能力强一点。

tsgliang · 发表于 2008-3-9 11:27:06

BJT的结电容要比MOSFET的小很多.

touching · 发表于 2008-3-9 11:43:22

关注一下

kevinliu_2008 · 发表于 2008-3-9 13:27:12

BJT体内器件载流子速度快,MOS是表面器件,载流子速度慢

华仔 · 发表于 2008-3-9 15:56:06

毕竟BJT是流控器件，而mos是压控器件啊

refugee · 发表于 2008-3-9 18:28:50

两者机理不一样： BJT的Base很窄，重掺杂的emiiter的多子可以很快的越过Base在Collector进行符合，即BJT具有较快的速度。
MOSFET是电场控制下的电流器件，载流子需要越过沟道产生电流，所以速度上面不如BJT来得快

sdmout4 · 发表于 2008-3-9 18:37:25

而且如果bjt的base掺杂了Ge的话，就更快了。

circe · 发表于 2008-3-9 20:28:55

BJT两种载流子都其主要作用，而MOS只有一种载流子其主要作用

touching · 发表于 2008-3-17 21:09:03

原帖由 refugee 于 2008-3-9 18:28 发表

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两者机理不一样： BJT的Base很窄，重掺杂的emiiter的多子可以很快的越过Base在Collector进行符合，即BJT具有较快的速度。
MOSFET是电场控制下的电流器件，载流子需要越过沟道产生电流，所以速度上面不如BJT来得快

觉得这个比较有道理

ives · 发表于 2008-3-18 22:37:12

MOS是表面器件，迁移速度慢。而BJT中的载流子的迁移速度快。

至于驱动能力，我个人认为是：跨导引起。BJT跨导大，带载就强。

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