仿真时，LDO的电容负载上要不要加上ESR电阻？

礼貌的兔

在许多论文中都看到LDO的电容负载上都加上了一个电容的等效串联电阻，也就是ESR，如下图所示：






这个电阻会引入一个零点，这个零点对于LDO稳定应该是有一定帮助的吧。
实际仿真LDO的时候，要不要加上ESR呢？（我在仿真时800pF的电容，我加了8Ω的ESR，看到过别人的testbench，发现没有加ESR，所以不知道该不该加）

hgw94

8Ω太大了，8mΩ都不一定有

礼貌的兔

   

hgw94 发表于 2025-8-28 17:19
8Ω太大了，8mΩ都不一定有

哦哦，我取的太大了，论文里看错了，论文原文是5uF的电容，ESR=50mΩ，我800pF按比例应该取8uΩ吧，8Ω取得太大了。

8uΩ也太小了，这放不放感觉都没啥影响了。。。

deantseng

可以建議不要加,這樣看比較worst的狀況

ol0930

片外电容（贴片）是一定会包含ESR电阻的，区别只是电阻的大小；
片内电容倒是不用；

礼貌的兔

   

ol0930 发表于 2025-8-28 19:41
片外电容（贴片）是一定会包含ESR电阻的，区别只是电阻的大小；
片内电容倒是不用； ...

原来如此，感谢

礼貌的兔

   

deantseng 发表于 2025-8-28 18:53
可以建議不要加,這樣看比較worst的狀況

嗯呐

chungming

you need to sweep the ESR and output capacitor values.

ericking0

看电容种类，MLCC和电解电容的ESR是完全不同的；
此外排开频率的零极点毫无意义；
理论上是先确定电容类型大小，知道大致的零点频率，然后再确定LDO结构的；

迷路大脸猫

ESR电阻会把电容的效果退化了，劣质的电容ESR电阻才大。