非二进制电容阵列设计问题

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想请问一下大佬关于非二进制电容阵列设计的问题，我根据论文电容阵列结构搭建了一个非二进制的电容阵列，发现其在输出会存在问题，最后结果和理想结果相差较大（几百毫伏的误差），感觉逐次逼近的过程有问题，DAC权重设置应该没有问题。顺便想请问一下有没有具体一点的论文，谢谢。