mos管衬底电阻两端

SAGACITY877

请问大家mos衬底电阻，一端接衬底，另一端接什么呢？是漏极还是源极？谢谢大家的回复

nanke

你指的衬底是？硅片可以认为是一块大的电阻，纯硅的导通电阻非常大，参杂后急剧下降。对于一般的p衬底工艺，所有做在这个p衬底的nmos的衬底都通过体硅的电阻联通在一起。而对于做在well里面的电阻，通过pn结隔离，相当于pn结和体硅的电阻串联，只要pn结不导通，可以不用考虑衬底电阻。而mos的bulk端，是通过体硅上或者well上的额外注入再通过金属半导体接触的contact连出去的。

nanke

   

nanke 发表于 2025-8-25 10:35
你指的衬底是？硅片可以认为是一块大的电阻，纯硅的导通电阻非常大，参杂后急剧下降。对于一般的p衬底工艺 ...

所以一般的硅工艺，衬底噪声相对较大，即使通过多个guardring形成低阻路径收集载流子，也还会有漏网的带来噪声。低阻路径和衬底的电阻形成并联关系，大衬底电流的mos需要更强的低阻路径避免电流注入衬底。

SAGACITY877

   

nanke 发表于 2025-8-25 10:39
所以一般的硅工艺，衬底噪声相对较大，即使通过多个guardring形成低阻路径收集载流子，也还会有漏网的带 ...

谢谢您的回复，我的意思是在考虑mos的体效应之后，1/gmb这个电阻，因为电阻有两端，所以想请教一下这个电阻，一端接body，另一端接哪里？是源端还是漏端，还是其他的，这个比较有疑惑

nanke

   

SAGACITY877 发表于 2025-8-26 22:10
谢谢您的回复，我的意思是在考虑mos的体效应之后，1/gmb这个电阻，因为电阻有两端，所以想请教一下这个电 ...

你先研究一下mos器件，以及mos的小信号等效电路吧。gmbs是跨导，=delta ids/ delta vbs。 如果你看mos器件看得多，会看到有人把mos管看成水管，电流是水流，mos管 gate就是水龙头这样的比喻，衬底可以认为是另一个水龙头，但和gate有差异。实际的小信号模型比较复杂，会根据应用作简化来帮助分析和理解，gmbs和衬底电阻是两个概念。把1/gm和1/gmbs看作实际的电阻是很牵强的，只适用于少部分场景的近似。

SAGACITY877

   

nanke 发表于 2025-8-27 10:10
你先研究一下mos器件，以及mos的小信号等效电路吧。gmbs是跨导，=delta ids/ delta vbs。 如果你看mos器 ...

哦哦，好的，谢谢您