高压管导通问题

new_land

在使用BCD工艺的20V高压管时，对nld用了二极管型接法。流过的ID电流为5uA。问题是：高压管的阈值电压为1.2V左右，而当流过5uA的电流时，VGS≈700mV，也就是说这个管子根本没导通？？
想请教下各位前辈，这种情况下能相信仿真吗？实际测试时，这5uA电流真的能在VGS=700mV时存在吗？
又是为什么管子没导通，却有这么大的沟道电流呢？

peterlin2010

BCD LDMOS  gate 是低压  不是高压, 更不会 vth=1.2v ..

多数 bcd 都从 5v 改来 mos vth=0.7~ 0.8

还是说你 bcd 同时 5vgd20vds  18vgs18vds ?

某些umc 有 18v vgs 18v vds HV mos +  ldmos

new_land

   

peterlin2010 发表于 2025-8-17 11:26
BCD LDMOS  gate 是低压  不是高压, 更不会 vth=1.2v ..多数 bcd 都从 5v 改来 mos vth=0.7~ 0.8 还是说你  ...

不是的，我用的是HVMOS，Vgs耐压最大5.5V，Vds耐压比较高可选择（12V,16V这种），Vth确实能达到1.2V，仿真operating points里面显示是，包括器件手册也写着了：

                               
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peterlin2010 发表于 2025-8-17 11:26
BCD LDMOS  gate 是低压  不是高压, 更不会 vth=1.2v ..多数 bcd 都从 5v 改来 mos vth=0.7~ 0.8 还是说你  ...

我用的是BCD HVMOS，Vgs耐压5.5V左右，Vds耐压更大（可选12V,16V耐压这种），阈值电压也确实是1.2V，我看operating points里面显示的是1.2V，包括器件手册也写了如下：

                               
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