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BASiC半导体模拟IC产品矩阵及规格清单,按产品类型分类,清晰标注关键参数与应用市场,方便研发选型: 产品矩阵总表产品类型 | 产品型号 | 关键规格 | 封装选项 | 核心特性 | 典型应用市场 | 单通道隔离型门极驱动器 | BTD5350x 系列 | - UVLO:8V/11V
- 峰值电流:10A(拉/灌) | SOW-8(宽体)
SOP-8(窄体) | - 分型号支持:米勒钳位(M)、开/关脚分离(S)、副边正电压UVLO(E) | 工业电源、锂电池化成设备、商业空调、通信电源、光伏储能一体机 | 双通道隔离型门极驱动器 | BTD21520x 系列 | - UVLO:5.7V/8.2V
- 峰值电流:拉4A/灌6A | SOW-14(宽体)
SOP-16(窄体) | - 分型号支持:死区控制+禁用(M)、禁用功能(S)、单PWM输入+死区+禁用(E) | 车载OBC、充电桩模块、便携式储能、通信电源、光伏储能一体机 | 带米勒钳位双通道隔离驱动器 | BTD25350x 系列 | - UVLO:8V/11V
- 峰值电流:10A
- 绝缘电压:5000Vrms
- 工作电压:1850VDC | SOW-18(宽体) | - 专为SiC设计
- 集成米勒钳位、DIS/DT控制
- 高隔离耐压(原副边间距>8.5mm) | 充电桩LLC、光伏储能BUCK-BOOST、高频APF、空调压缩机、服务器图腾柱PFC(SiC/GaN) | 智能短路保护隔离驱动器 | BTD3011R | - UVLO:12V/-4.9V
- 峰值电流:±15A
- 输入抗负压:-5V | SOW-16(宽体) | - 磁隔离技术
- 短路保护+软关断
- 副边正电压稳压
- 支持IGBT/SiC(600-1200V) | 电机驱动、电焊机、变频器 | 双通道低边驱动器 | BTL2752x 系列 | - 拉灌电流:5A
- 输入抗负压:-5V | SOP-8 | - 分型号支持使能控制(EN)
- 逻辑选项:双路同向/反向 | 车载DC-DC、充电桩模块、便携式储能、微型逆变器、光伏储能一体机、锂电池化成设备 |
详细型号规格1. 单通道隔离型门极驱动器(BTD5350x)型号 | 特性 | UVLO | 封装 | BTD5350MxWR/PR | 米勒钳位 | 8V/11V | SOW-8/SOP-8 | BTD5350SxWR/PR | 开/关脚分离 | 8V/11V | SOW-8/SOP-8 | BTD5350ExWR/PR | 副边正电压UVLO | 8V/11V | SOW-8/SOP-8 |
2. 双通道隔离型门极驱动器(BTD21520x)型号 | 特性 | UVLO | 封装 | BTD21520MxWR/PR | DIS+死区控制 | 5.7V/8.2V | SOW-14/SOP-16 | BTD21520SxWR/PR | DIS功能 | 5.7V/8.2V | SOW-14/SOP-16 | BTD21520ExWR/PR | 单PWM输入+DIS+死区 | 5.7V/8.2V | SOW-14/SOP-16 |
3. 带米勒钳位双通道驱动器(BTD25350x)型号 | 特性 | UVLO | 封装 | BTD25350MMBWR | DIS+DT+米勒钳位 | 8V | SOW-18 | BTD25350MMCWR | DIS+DT+米勒钳位 | 11V | SOW-18 | BTD25350MSBWR | DIS+DT+开/关分离 | 8V | SOW-18 | BTD25350MECWR | DIS+DT+副边正电源UVLO | 11V | SOW-18 |
4. 双通道低边驱动器(BTL2752x)型号 | 特性 | 使能控制 | 逻辑方向 | BTL27523R | 双路反向输出 | 有(EN) | 反向 | BTL27523BR | 双路反向输出 | 无 | 反向 | BTL27524R | 双路同向输出 | 有(EN) | 同向 | BTL27524BR | 双路同向输出 | 无 | 同向 |
应用市场映射应用领域 | 推荐产品系列 | 适用场景 | 新能源电力 | BTD25350x, BTD21520x, BTL2752x | 光伏储能、充电桩模块、微型逆变器 | 工业控制 | BTD5350x, BTD3011R | 工业电源、变频器、电焊机、电机驱动 | 车载电子 | BTD21520x, BTL2752x | 车载OBC、车载DC-DC转换器 | 消费电子 | BTD5350x, BTL2752x | 商业空调、便携式储能设备 | 高性能计算 | BTD25350x | 服务器图腾柱PFC(GaN/SiC方案) | 电池管理 | BTD5350x, BTL2752x | 锂电池化成设备 |
选型关键点隔离需求:高隔离电压(如5000Vrms)选BTD25350x;基础隔离选BTD5350x/BTD21520x。 SiC/GaN驱动:优先选BTD25350x(专为SiC优化)或BTD3011R(支持1200V器件)。 功能集成: 空间限制:窄体封装(SOP-8/SOP-16)适合高密度设计。
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