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[招聘] 西安功率器件设计岗位机会

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发表于 昨天 16:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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招聘企业总部在西安,是成熟IDM企业。

公司在功率器件领域产品全面,SJMOS行业领先,订单非常充足。
感兴趣者可加微信568967844沟通。

目前招聘IGBT器件设计专家岗位
工作地:陕西西安
薪资:年薪50-100万

岗位职责:
1.领导先进IGBT器件的结构设计与开发。
2.设计并优化符合8英寸晶圆厂制造能力的完整半导体工艺流程。
3.运用TCAD仿真工具进行器件设计、概念验证及性能预测。
4.与工艺整合和制造团队合作,将器件设计转化为稳定可靠的制造工艺。
5.针对性能提升、成本优化与良率改善提出创新解决方案。
6.负责器件电性测试、失效分析及工艺优化。
7.推动技术路线规划、技术对标及知识产权布局。
8.根据客户需求及应用要求,制定器件与工艺规范。
9.指导和培养年轻设计工程师,提升团队整体技术能力。
任职资格:
1.电气工程、材料科学、应用物理或相关专业硕士及以上学历(本硕均要求985/211),博士优先。
2.具有5年以上超结与/或IGBT器件及技术工艺平台开发的经验。
3.拥有丰富的器件概念设计与工艺整合经验。
4.精通TCAD仿真工具(如Synopsys Sentaurus、Silvaco Atlas),能够进行器件结构设计与优化。
5.深刻理解硅基及宽禁带材料器件原理及平面/沟槽型超结结构。
6.成功主导过复杂器件开发项目并实现量产导入。
7.熟悉关键半导体工艺模块,包括外延、生长、离子注入、刻蚀、金属化、CMP与钝化等。
8.具有团队领导力、沟通协调与跨部门协作能力。

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