IGBT驱动芯片设计

yyb2024

求问大家一下，最近设计了一个双NMOS推动输出电流，大概峰值电流10A级别，驱动IGBT的驱动芯片，现在流片回来实测的时候，发现在下拉MOS打开的时候如果负载电容和栅极电阻焊接不合适的话，会出现很厉害的震荡，甚至会出现震荡不停止的现象，然后芯片损坏。示波器看芯片管脚上的电源和内部ldo都在震荡了，请问有没有大佬知道关键原因在哪里吗，和对标芯片比我设计的下拉MOS的栅极电压上升快一些，电压也高2V