DDR一些名词解释及模式操作

xf2016 · 发表于 2025-6-19 13:42:45

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本帖最后由 xf2016 于 2025-6-23 11:45 编辑

1. DDR的Per DRAM Addressability(PDA)解释；
2. DDR设计中的Write Leveling技术介绍及实现过程；
3. DDR时序训练流程；
4. DDR中burst length burst order burst type的解释；
5. DDR中DLL开启和关闭操作；
6. DDR中Ron、RTT、ODT、RTT_WR、RTT_NOM 和 RTT_PARK 的解释；
7. DDR中VrefDQ校准过程解释；
8. DDR中操作改变输入频率change input frequence ；
9. DDR中温度控制刷新模式（TCR)的实现原理 ;
10.DDR中自动刷新(AR)和自刷新（SR）的实现及转换 ;
11. DDR MPR ;
12. DDR关键时序参数列表 ;
13.DDR的刷新(refresh)机制 ;
14.DDR自刷新操作(self refresh )流程；
15.DDR的power down模式操作指导;
16.DDR的最大省电模式(MPSM)机制;
17.DDR的CT模式(Connectivity Test Mode)注意事项;
18.DDR中ODT相关规范

补充内容 (2025-10-10 11:22):
DDR 手册 https://item.taobao.com/item.htm ... .0.0.4fee645e4U62mn

xf2016 · 发表于 2025-6-19 16:00:04

12. DDR关键时序参数列表

ht_lch · 发表于 2025-6-20 09:25:03

thanks for sharing

xf2016 · 发表于 2025-6-20 09:48:13

13. DDR的刷新(refresh)机制 ;

pipi7306 · 发表于 2025-8-6 16:10:40

感谢分享

bagshtag · 发表于 2025-8-13 16:34:24

Thanks!

琴声悠扬 · 发表于 2025-8-21 13:21:43

thanks for sharing

sxg1647606637 · 发表于 2025-9-8 19:03:38

thanks for sharing

im.leo · 发表于 2025-9-14 12:11:39

多谢分享多谢分享多谢分享

yzwbb2013 · 发表于 2025-9-15 21:31:47

感谢分享

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