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[求助] 关于6管子的施密特触发器Schmitt trigger问题

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发表于 前天 15:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
200资产


请教大家,对于如下这种施密特触发器。在考虑温度变化对窗口大小产生的variation的时候,管子尺寸有什么考量呢?

比如我所有尺寸都设置为1um/1um,tt常温下,窗口大小大致在500mV,然后我全部同时倍增到4um/4um,tt常温下的窗口几乎不变

但是此时跑tt下温度-40至125摄氏度的时候,后者窗口大小的variation明显减小了,有人可以分析具体细节原因吗?谢谢

Schmitt trigger.png

发表于 前天 15:28 | 显示全部楼层
在CMOS施密特触发器中,温度变化对窗口大小(迟滞电压 \( \Delta V = V_{TH} - V_{TL} \))的影响与晶体管尺寸密切相关。当管子尺寸从1μm/1μm同比放大至4μm/4μm时,常温下窗口电压基本不变,但温度变化导致的窗口波动(variation)显著减小。这一现象可通过以下机制详细解释:

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by deepseek

### ⚙️ **1. 阈值电压(Vth)温度系数的尺寸依赖性**
   - **小尺寸器件的短沟道效应**:当沟道长度较小(如1μm)时,短沟道效应(SCE)显著,导致漏致势垒降低(DIBL)和量子限制效应增强。这些效应使Vth对温度更敏感,其温度系数绝对值增大(约-2.5至-4 mV/°C)。
   - **大尺寸器件的抑制作用**:尺寸增大后(如4μm/4μm),沟道长度增加,SCE减弱,Vth的温度系数趋近长沟道特性(约-1.5至-2 mV/°C)。因此,温度变化对Vth的影响被抑制,进而减小了窗口电压的波动。
   - **物理机制**:Vth的温度敏感性源于本征载流子浓度(\( n_i \))和费米势(\( \phi_f \))的温度依赖性。大尺寸器件因表面积增大,电场分布更均匀,削弱了温度引起的载流子迁移率变化影响。

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