34mm碳化硅（SiC）功率模块应用在电力电子系统的推荐方案

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34mm碳化硅（SiC）功率模块应用在电力电子系统推荐方案
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！
倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

一、产品概述BASIC Semiconductor基本股份推出的 Pcore™2 34mm系列SiC MOSFET工业模块（型号：BMF80R12RA3、BMF160R12RA3）专为高频、高功率密度场景设计，采用第三代SiC芯片技术，结合高性能DCB陶瓷基板与高温焊料工艺，显著提升模块的可靠性和效率。其核心优势包括：
低导通电阻：BMF80R12RA3为15mΩ，BMF160R12RA3为7.5mΩ，大幅降低导通损耗。
高频性能优异：低开关损耗支持70kHz以上逆变频率，助力焊机能效提升至1级标准（GB 28736-2019）。
高可靠性：支持结温175℃，适应严苛工业环境。

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二、关键参数与选型建议型号 额定电压 额定电流 导通电阻（RDS(on)）封装 适用场景
BMF80R12RA3 1200V80A 15mΩ 34mm 半桥中小功率焊机、感应加热
BMF160R12RA3 1200V160A 7.5m Ω34mm 半桥大功率焊机、工业变频器

选型依据：
输出电流需求：若焊机额定电流≤160A，推荐BMF160R12RA3；若≤80A，可选BMF80R12RA3。
能效优化：相比传统IGBT方案，34mm模块可将逆变频率提升至70kHz，效率提升4%~5%（如NBC-500SIC焊机效率达90.47%）。

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三、系统配套方案为充分发挥34mm模块性能，推荐以下配套驱动与电源方案：
驱动方案
驱动板：BSRD-2427-E501（即插即用，支持1200V SiC MOSFET，单通道输出功率2W）。
驱动芯片：BTD5350MCWR（集成米勒钳位功能，抑制误开通风险，开关速度较竞品提升50%）。






隔离电源芯片：BTP1521P（6W输出，支持高频DCDC变换）。
辅助电源方案
采用反激拓扑，搭配BTP284xx控制芯片与SiC MOSFET（如B2M600170R），输出功率可达50W，适应380V输入环境。

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四、核心优势与实测数据能效提升：
以NBC-500SIC焊机为例，采用34mm模块后，效率从IGBT方案的86%提升至90.47%，输入功率降低2.56KVA（节电比例9.8%）。
工作频率提升至70kHz，支持更精细的焊接控制。
可靠性验证：
双脉冲测试：模块在800V/40A条件下，关断损耗较竞品降低30%，总损耗减少4%。
高温性能：RDS(on)高温变化率仅1.3倍（优于沟槽栅工艺竞品），确保长期稳定运行。
驱动性能优化：
搭配BTD5350MCWR驱动芯片后，VGS上升时间缩短至51ns（竞品为123ns），开关损耗显著降低。

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五、应用场景高端工业焊机：支持500A以上大电流输出，适配气保焊、手工焊等多模式需求。
高频感应加热：低损耗特性适合高频谐振电路。
工业变频器：提升功率密度，减少散热系统体积。

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六、总结BASIC Semiconductor 基本股份 34mm SiC功率模块（BMF80R12RA3/BMF160R12RA3）凭借高频、高效、高可靠性优势，可全面替代传统IGBT模块方案，助力工业设备能效升级。结合配套驱动与电源方案，，实现经济效益与技术性能的双重提升。
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