请问大家知道tsmc180下有没有低掺杂衬底

hnxyssy · 发表于 2025-5-2 03:45:38

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做的片上电感对quality factor要求很高，想知道180工艺下有没有低掺杂衬底layer可以使用，或者是不是用较浅的nwell可以达到这一目的

acrofoxAgain · 发表于 2025-5-2 08:04:22

有的，native管的衬底区域就是

hnxyssy · 发表于 2025-5-2 20:26:57

acrofoxAgain 发表于 2025-5-2 08:04
有的，native管的衬底区域就是

您好，如果我理解正确的话，是说我不需要像其他工艺下用比较特殊的layer来让这个衬底较低掺杂，只需要用默认的衬底什么layer不加就行了是吗

hnxyssy · 发表于 2025-5-2 21:38:08

acrofoxAgain 发表于 2025-5-2 08:04
有的，native管的衬底区域就是

我好像找到了，是这个叫NT_N的对吗

acrofoxAgain · 发表于 2025-5-3 15:25:45

hnxyssy 发表于 2025-5-2 21:38
我好像找到了，是这个叫NT_N的对吗

是的。

[讨论] 请问大家知道tsmc180下有没有低掺杂衬底