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[求助] SMIC40nm_ESD MOS LVS识别不出来

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发表于 7 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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器件是:nhmfet (5V)
1.需要加哪个layer?
2.还是在 run lVS 的rule 里添加一些信息?
3.加了 DRC marking layer ,如:ESDIO2 ESDHV

发表于 5 小时前 | 显示全部楼层
查看一下设计文档,看一下这个器件“nhmfet (5V)”由哪几个层次组成,或者看一下LVS RULE FILE 看一下这个器件的组成
 楼主| 发表于 5 小时前 | 显示全部楼层


sudabin 发表于 2025-4-22 16:50
查看一下设计文档,看一下这个器件“nhmfet (5V)”由哪几个层次组成,或者看一下LVS RULE FILE 看一下这个器 ...


看了rule file 。也看了design rule ,又加了一个ESD1。LVS还是不识别。

发表于 5 小时前 | 显示全部楼层
FOUNDRY 提供的技术库里能不能找到一些线索?
发表于 5 小时前 | 显示全部楼层
解决问题后麻烦发一下,我也学习一下,“nhmfet (5V)”在这个制程里是属于HV吗?ESDIO2 ESDHV 这些层次加得对不对
 楼主| 发表于 3 小时前 | 显示全部楼层


sudabin 发表于 2025-4-22 17:12
解决问题后麻烦发一下,我也学习一下,“nhmfet (5V)”在这个制程里是属于HV吗?ESDIO2 ESDHV 这些层次加得 ...


谢谢。ESDIO2换成ESDIO1就可以了。
 楼主| 发表于 3 小时前 | 显示全部楼层
本帖最后由 bubushenghua 于 2025-4-22 19:52 编辑


sudabin 发表于 2025-4-22 17:12
解决问题后麻烦发一下,我也学习一下,“nhmfet (5V)”在这个制程里是属于HV吗?ESDIO2 ESDHV 这些层次加得 ...


是属于HV。一共加了:ESDIO1+ESDHV+ESD1
由于IO内部的器件是由低压器件替换成高压器件。
原来的IO版图加的是ESDIO1。而design rule里面ESD HVNMOS器件真值表中特有的layer有:ESDHV+ESDIO2+ESD1。
加ESDIO1 LVS识别了。
不明白加ESDIO2,ESD HVNMOS LVS就没有识别。


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