悬空N阱的闩锁风险问题

uray555 · 发表于 5 天前

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如上图所示，ESD器件为两个串联的PNP管，底下为基极的N阱。
请问各位高手，如果在这种ESD器件旁边放置悬空的N阱的话（N阱内部电位均短接，且N阱到ESD器件的距离比ESD器件内部的N阱间隔大）
会有可能导致闩锁吗？

我也担心两个ESD器件的N阱通过悬空的N阱产生漏电流，请问发生的机率大吗？

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William_zxh · 发表于 5 天前

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[求助] 悬空N阱的闩锁风险问题

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