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[求助] 悬空N阱的闩锁风险问题

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发表于 2025-4-14 18:37:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如上图所示,ESD器件为两个串联的PNP管,底下为基极的N阱。
请问各位高手,如果在这种ESD器件旁边放置悬空的N阱的话(N阱内部电位均短接,且N阱到ESD器件的距离比ESD器件内部的N阱间隔大)
会有可能导致闩锁吗?

我也担心两个ESD器件的N阱通过悬空的N阱产生漏电流,请问发生的机率大吗?

                               
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发表于 2025-4-14 23:01:43 | 显示全部楼层
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