BSP452简介——电源开关IC / STGWA40H65DFB 650V IGBT / STW58N60DM2AG汽车功率MOSFET

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BSP452是一种电源开关IC，主要用于配电管理。其封装形式为SOT-223-4，最大功率耗散为1800mW，安装风格为SMD/SMT。其核心参数包括：
开关类型：通用
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高端
输出类型：N 通道
接口：开/关
电压 - 负载：5V ~ 34V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要
电流 - 输出（最大值）：700mA
导通电阻（典型值）：160 毫欧
输入类型：非反相
特性：-
故障保护：限流（固定），超温，过压
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：SOT223-4
关于应用：BSP452广泛应用于电源管理、安全系统和车载应用等领域。其智能电源开关功能使其在汽车电子、工业控制和消费电子等需要高效电源管理的场合中表现出色‌。

明佳达电子供应全新BSP452电源开关IC / STGWA40H65DFB 650V IGBT / STW58N60DM2AG汽车功率MOSFET。
STGWA40H65DFB是一款650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT，该器件是新型 HB 系列 IGBT 的一部分，代表了导通和开关损耗之间的最佳折衷方案，可最大限度地提高任何变频器的效率。此外，略为正的 VCE（sat） 温度系数和非常紧密的参数分布使并联作更安全。
技术参数
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
功率 - 最大值：283 W
开关能量：498µJ（导通），363µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：210 nC
25°C 时 Td（开/关）值：40ns/142ns
测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：62 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
产品编号：STGWA40H65DFB
这些参数使得STGWA40H65DFB IGBT适用于光伏逆变器、高频转换器等需要高效能转换的场合‌。

STW58N60DM2AG - 汽车级N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装
说明：‌STW58N60DM2AG是一款汽车级N沟道功率MOSFET，具有600V的耐压能力和50A的连续漏极电流。‌ 该器件采用TO-247封装，适用于高效率转换器和桥式拓扑结构，特别适合于ZVS相位移转换器。STW58N60DM2AG属于MDmesh™ DM2系列，具有快速恢复特性，适合于汽车应用，并通过了AEC-Q101认证‌。
基本参数
耐压能力‌：600V
‌连续漏极电流‌：50A
‌封装类型‌：TO-247
‌导通电阻‌：60mΩ@10V，25A
‌阈值电压‌：5V
‌栅极电荷量‌：90nC@10V
‌输入电容‌：4.1nF@100V
‌工作温度范围‌：-55℃~+150℃
应用领域：STW58N60DM2AG适用于高效率转换器、桥式拓扑结构和ZVS相位移转换器，特别适合于汽车电子和其他需要高可靠性和高效能的应用场景‌。