关于宽带共源放大器输出端寄生电容问题的求助

MrTree

我在180nm bcd工艺下搭建了一个电流源负载的共源放大器。P1中M0为输入管，M1为电流源负载管，VIN和VB1均由理想电压源提供。P2为直流工作点下两个mos管的各项数据，aF级别的数据我就没有列出来。P3为交流仿真结果，反映的是VIN到VOUT1的频率响应曲线。

      
按照理论上而言，输出电容Cout=cgd1+cdb0+cgd0*(1-1/Av)，这样计算出来实际上是60fF。输出电阻Rout=rout0//rout1，计算出来为493Ω。根据Av=-gm*Rout和f3dB=1/(2*pi*Rout*Cout)，可以计算出理论上增益为23dB，-3dB带宽为5.3GHz。现在的问题是仿真得出来的增益是23.2dB，符合理论推导，但是仿真得到的-3dB带宽为1.6GHz，与理论推导相差甚远。

      
而且我在输出端VOUT1处加入电容负载，随着电容负载大小的变化，仿真得到的3dB带宽也会以反比例函数的形式变化，说明主极点来自输出端，推算出此时VOUT1端输出的寄生电容为200+fF，与根据cgd等寄生电容计算出来的60fF相差非常大
      

恳请各位大佬指导解惑，万分感谢。

MrTree

是否是因为特征频率的问题，输入管M0的特征频率为38GHz，而我此处的增益带宽积为20GHz了，所以管子不太能够驱动的了？但是我看很多论文里面180工艺下，也可以做到增益带宽积很大，比如说[1] D. Li et al., “Low-Noise Broadband CMOS TIA Based on Multi-Stage Stagger-Tuned Amplifier for High-Speed High-Sensitivity Optical Communication,” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 66, no. 10, pp. 3676–3689, Oct. 2019, doi: 10.1109/TCSI.2019.2916150. 这篇文章中，第一级运放的fT为50GHz，增益带宽积达到了24GHz。三级运放，实现了264GHz的GBW。

SkyWarding

本人菜鸡，不懂就问，你要是细究仿真与理论一致，那么
1、输出阻抗真是ro0//ro1？
2、dc print的C真就是1.6GHz的C？