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[求助] tsmc180nm BCD MoM电容Pcell以及提取问题

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发表于 昨天 04:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,我在仿真tsmc180nm提供的cfmom时候,发现它这个pcell并没有model出ESR。我查了它所使用的底层工艺库scs file,发现它只是定义了一个非线性随着温度和电压变化的电容。

所以我尝试使用Dummy Resistor连接在它的端口,并且把MoMdummy进行删除进行提取。具体做法是删除schematic的电容,然后放置三个电阻分别接PLUS,MINUS,SUB,然后另一端都悬空作为电容的极板 (如果不这样处理calibre会识别出这个pcell电容然后直接使用pcell参数而不进行提取)。我发现PEX处理这种悬空net的做法是直接不进行R提取,不管我的finger length画的有多长它都视为是一个理想导体没有电阻。

所以我想请问大家有什么好办法可以model出这个工艺下的ESR,又或者是我的PEX设置有什么问题导致不提取我极板上的走线电阻,谢谢大家。
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