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[求助] 蒙卡仿真 process和mismatch的疑问?

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发表于 2025-3-20 15:24:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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SMIC 55nm PDK
请问以下四种方式,那种更能体现die内的偏差?
个人理解process应该是die之间,wafer之间偏差,而mismatch则指的是die内的偏差,所以应该方法4更能体现die内偏差
1.Model选择tt,蒙卡选择Process和mismatch
2.Model选择tt,蒙卡选择mismatch
3.Model选择mc,蒙卡选择Process和mismatch
4.Model选择mc,蒙卡选择mismatch
发表于 2025-3-21 10:26:43 | 显示全部楼层
应该是2吧
发表于 2025-3-21 13:40:43 | 显示全部楼层
不懂,先看看
发表于 2025-3-21 17:11:01 | 显示全部楼层
2和4是一样的,都是DIE内的
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