18ud15/18ud12 MOS器件与1.8V器件工艺上的差异

ss221146 · 发表于 2025-3-15 23:38:42

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请教工艺专家，CMOS工艺中18ud15/18ud12 MOS器件与1.8V器件工艺上的异同是怎样的。
栅极氧化层厚度，击穿电压有无差异；
阈值电压，S/D有源区的注入浓度有无差异

andyfan · 发表于 2025-3-16 08:38:53

不同家做法不太一样，T的基本就是一样，只是沟道长度不同。

看器件模型参数，几乎完全一样，基本可以得出工艺是完全一套。这个只针对T的来讲。

lurenjie123 · 发表于 2025-3-16 10:33:37

PDK手册里可能会有，应该有些差异来着，上次还看到

[求助] 18ud15/18ud12 MOS器件与1.8V器件工艺上的差异