基本股份SiC碳化硅模块替代英飞凌富士三菱IGBT半桥模块

sic988

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC模块BMF80R12RA3和BMF160R12RA3可以替代市面上1200V电压等级、中小电流范围的进口半桥IGBT模块，例如：

**英飞凌（Infineon）**的FF系列中小半桥功率模块的部分应用场景。
**三菱电机（Mitsubishi Electric）**的CM系列中小半桥功率模块或富士电机（Fuji Electric）的2MBI系列中小半桥功率模块。

---

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC模块BMF80R12RA3和BMF160R12RA3主要应用领域逆变焊机：高开关频率和低损耗特性提升焊接效率和精度。
感应加热：高频工作能力改善加热均匀性和响应速度。
DC-DC转换器：高效率和高功率密度适用于新能源车、光伏逆变器等场景。
工业电源：适用于高频开关电源和UPS系统。

---

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC模块BMF80R12RA3和BMF160R12RA3替代进口IGBT模块的优势效率提升：
更低的导通电阻（RDS(on)​）：例如BMF160R12RA3的RDS(on)​仅7.5mΩ（@25°C），远低于同等级IGBT的饱和压降。
更低的开关损耗：SiC的快速开关特性（如BMF80R12RA3的Eon​仅2.4mJ@25°C）减少能量浪费。
高频工作能力：
支持更高开关频率（MHz级），减少无源元件（电感、电容）体积，提高功率密度。
高温稳定性：
结温支持175°C，高温下导通电阻增幅小，性能衰减优于IGBT。
系统简化：
更低的散热需求减少冷却系统复杂度，降低整体成本。
体积与重量优化：
模块封装紧凑（34mm），重量轻（155g），适合空间受限场景。

---

注意事项成本：BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC模块BMF80R12RA3和BMF160R12RA3SiC初期采购价格已经和进口IGBT模块持平，并且长期运行成本因效率提升而降低。
驱动适配：需匹配±18V/-4V栅极驱动电压，并优化驱动电路以发挥高速开关性能。
BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。
BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521P,BTP1521F，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。
对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。
综上，基本股份SiC模块在高频、高效、高温场景中显著优于进口IGBT模块，尤其适合对能效和体积敏感的工业与新能源应用。