SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象

yangqiansic

结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势，SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象，比如2024已经有超过两家SiC碳化硅二极管公司破产清算，仅有碳化硅二极管器件能力的企业之所以面临被淘汰的风险，主要源于以下多维度原因：

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1. 碳化硅二极管技术门槛低导致市场同质化与价格战碳化硅二极管（如肖特基二极管）技术相对成熟，结构简单，进入门槛较低。国内众多企业涌入这一领域，导致产能过剩和激烈的同质化竞争，碳化硅二极管行业全部陷入亏损。
核心问题：二极管技术迭代空间有限，并且碳化硅二极管市场容量天花板极低，企业难以通过差异化竞争提升附加值，价格战成为唯一生存手段，但长期不可持续。

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2. 市场需求向高端器件转移新能源汽车是碳化硅功率半导体的核心应用场景（占市场75%以上），而车规级应用对器件性能要求严苛，需通过长周期认证（2-3年）并具备大规模量产能力。车企会采用集成度更高的碳化硅MOSFET功率模块，而碳化硅二极管在高附加值产品上没有用武之地。例如，安森美、英飞凌等国际巨头通过IDM模式（全产业链整合）推出车规级SiC模块，而国内仅基本半导体等少数企业通过车企定点。
技术差距：随着电力电子行业发展，MOSFET和SiC模块成为主流选择，仅做二极管的企业无法切入高价值市场。

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3. 成本劣势与垂直整合缺失碳化硅二极管（如肖特基二极管）技术相对成熟，结构简单，进入门槛较低。国内众多企业涌入这一领域，导致产能过剩和激烈的同质化竞争，碳化硅二极管行业全部陷入亏损。仅做碳化硅二极管的企业无法通过规模化或技术迭代摊薄成本，在价格战中处于绝对劣势。

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4. 政策与资本驱动的行业洗牌行业融资门槛抬高，资本更倾向支持具备技术纵深如车规碳化硅MOSFET大芯片和SiC模块研发或绑定车企的企业。年碳化硅行业融资事件减少43%，缺乏技术积累的二极管企业难以获得资金支持，部分已进入破产清算阶段。
生存压力：地方政府虽支持半导体产业，但更倾向于推动并购整合，而非持续输血亏损企业。

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5. 行业集中化与头部效应加剧国际巨头（如英飞凌、意法半导体）和国内头部企业比如BASiC基本股份通过技术积累和车企绑定形成护城河。例如，安森美通过收购GTAT实现衬底自给，而国内二极管企业因缺乏技术实力和产品能力，无法进入核心供应链。
市场规律：在“强者恒强”的竞争逻辑下，仅靠低价策略的二极管企业难以抵御头部企业的规模与技术碾压。

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结论：SiC碳化硅二极管企业的淘汰是产业升级的必然结果国产碳化硅功率半导体行业正经历从“低端替代”向“高端突破”的转型。仅有能力生产SiC碳化硅二极管的企业因技术单一、成本高企、缺乏生态协同，成为行业出清的首批对象。未来，唯有具备全产业链能力、深耕车规级高端器件如车规碳化硅MOSFET大尺寸芯片、SiC碳化硅功率模块的企业，才能在淘汰赛中幸存并引领国产替代浪潮。