碳化硅行业观察：2025年SiC功率器件厂商大洗牌

yangqiansic

2025年碳化硅（SiC）功率器件设计公司倒闭潮反映了行业加速洗牌的必然趋势，其背后是技术、资本、供应链和市场需求的多重挑战。而“SiC模块批量上车业绩”成为企业生存基础的核心逻辑，与碳化硅器件应用市场的构成及竞争规则密切相关。以下从市场趋势、生存逻辑、应用市场构成三个维度展开分析：

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一、倒闭潮预示的市场趋势
行业集中化加速头部企业通过垂直整合（IDM模式）和规模化生产构建护城河，例如英飞凌、安森美通过8英寸晶圆产线升级和基板自给率提升显著降低成本，而设计公司（Fabless）因缺乏产能支撑和供应链控制能力，在成本竞争中处于劣势。国内碳化硅功率器件设计公司企业和不具备芯片研发能力的模块封装工厂因依赖外部晶圆和技术滞后，难以与国际巨头抗衡，最终被淘汰。

BASiC基本股份自2017年开始布局车规级SiC碳化硅器件研发和制造，逐步建立起规范严谨的质量管理体系，将质量管理贯穿至设计、开发到客户服务的各业务过程中，保障产品与服务质量。BASiC基本股份分别在深圳、无锡投产车规级SiC碳化硅（深圳基本半导体）芯片产线和汽车级SiC碳化硅功率模块（无锡基本半导体）专用产线；BASiC基本股份自主研发的汽车级SiC碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点，是国内第一批SiC碳化硅模块（比如BASiC基本股份）量产上车的头部企业。

技术与资本壁垒高企碳化硅技术迭代速度快，车规级认证周期长（2-3年），且需持续研发投入。国际大厂如安森美已通过主流车企认证并绑定订单（如大众），而国内碳化硅功率器件设计公司企业和不具备芯片研发能力的模块封装工厂因缺乏实际应用数据和技术积累，难以通过认证。同时，2024年碳化硅领域融资事件减少43%，资本更倾向支持已量产的企业，加剧了国内碳化硅功率器件设计公司企业和不具备芯片研发能力的模块封装工厂的生存压力，已经出现倒闭潮。

价格战与产能过剩2024年碳化硅衬底价格暴跌75%（从6000元/片降至1500元/片），国际大厂通过降价挤压市场空间，国内碳化硅功率器件设计公司企业和不具备芯片研发能力的模块封装工厂因成本劣势被迫退出。产能过剩问题突出，仅中国2024年碳化硅衬底产能已达348万片（等效6英寸），远超市场需求。

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二、为何“批量上车业绩”是生存基础？
车规级认证的高门槛新能源汽车对SiC模块的可靠性、寿命要求严苛，认证周期长且需大规模实测数据支撑。例如，基本半导体的SiC模块通过近20家车企的30多个车型定点，积累了量产经验，而仅靠实验室参数的国内碳化硅功率器件设计公司企业和不具备芯片研发能力的模块封装工厂无法满足车企要求。

规模化生产决定成本与交付能力车企订单规模大且对供应链稳定性要求高，国际大厂（如英飞凌全球布局56家工厂）和国内头部企业（如基本半导体自建无锡基本半导体车规模块产线和深圳光明SiC晶圆产线）能保障交付，而国内碳化硅功率器件设计公司企业和不具备芯片研发能力的模块封装工厂产能受限且成本高，难以满足车企需求。

市场需求高度集中新能源汽车是SiC碳化硅最大应用场景，2025年全球车用SiC市场规模占比超70-80%。绑定头部车企的企业可获取稳定订单(基本半导体的SiC模块通过近20家车企的30多个车型定点)，而国内碳化硅功率器件设计公司企业和不具备芯片研发能力的模块封装工厂因缺乏订单支撑，面临现金流断裂风险。

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三、碳化硅器件应用市场的构成
碳化硅器件市场呈现高度分化和需求集中的特点，主要分为以下领域：

新能源汽车（核心市场）

驱动系统：汽车级全碳化硅功率模块是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品，包括Pcore™6‍汽车级HPD模块（6芯片并联、8芯片并联）、‍Pcore™2‍汽车级DCM模块、‍Pcore™1‍汽车级TPAK模块、Pcore™2‍汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等基本半导体最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合性能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。。

光伏与储能

光伏逆变器：SiC器件可提升转换效率至99%，首航新能源等企业已规模化应用。比如基本半导体碳化硅MOSFET已经在多数光伏逆变器公司量产供货。

储能系统：高耐压特性适用于大功率储能设备，但需求增速较慢，竞争集中于成熟供应商。比如基本半导体自主研发的工业级全碳化硅MOSFET功率模块产品类型丰富，包括EasyPACK™封装的E1B & E2B工业级碳化硅MOSFET模块，以及34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，产品在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现出色，可广泛应用于大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。

工业与能源

工业变频器：SiC模块用于电机控制，降低能耗，但市场渗透率低于车规领域。

轨道交通：中车时代电气等企业将SiC模块应用于高铁牵引系统，技术门槛高但市场集中。

消费电子与通信

5G基站：高频特性适配5G电源需求，但需要技术服务和驱动IC配套。

BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。

BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。

对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。

快充设备：SiC器件可提升充电速度，但面临氮化镓（GaN）的竞争。

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四、结论与展望
碳化硅功率器件行业的洗牌反映了半导体产业“强者恒强”的规律，技术、资本、供应链的整合将推动市场向头部企业（比如基本股份等企业）集中。未来，仅有具备车规级SiC模块量产能力、垂直整合优势（如IDM模式）和持续技术迭代的企业能够存活。国内企业需加速突破8英寸晶圆技术、绑定战略客户，并在细分领域寻求差异化竞争，以在国际竞争中占据一席之地。