tsmc18_rf工艺下电容的选择

LWang050327 · 发表于 2025-2-19 14:56:53

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在用tsmc18_rf工艺设计两级运放的时候，采用miller补偿，大小是6p f

采用ananloglib 里的理想电容仿真出来性能是满足指标的，现在要用该工艺下的电容替换
有下面几个选择
mimcap
mincap_rf（前两个容值非常小，最大不超过1pf ,得多个并联）
nmoscap
pmoscap（后两个是三端口器件，其衬底端应该解什么电位？分别接vdd gnd吗）

这几个我都试过，并联成6pf接入反馈回路，但效果都非常差
请问
1.这几种电容的说明我应该去哪里找资料（没有找到pdk下的cap说明）
2.我应该采用什么方法产生这个miller补偿电容？

siwenzaizi · 发表于 2025-4-6 10:48:24

请问解决了吗？

LWang050327 · 发表于 2025-4-6 12:05:43

siwenzaizi 发表于 2025-4-6 10:48
请问解决了吗？

用的mim电容并联

[求助] tsmc18_rf工艺下电容的选择

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