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[求助] 哪位大侠可以深入讲解一下SRAM write noise margin的定义和测试

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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哪位大侠可以深入讲解一下SRAM write noise margin的定义和测试啊,谢谢了
发表于 4 天前 | 显示全部楼层
内部两个节点设置成1/0或者0/1,然后WL打开,BL/BLB开始都是1,然后和内部设置相反的1往0拉,同时SENSE内部节点电压,看什么时候反转,这个时候外面BL/BLB的电压就是write noise margin.
发表于 4 天前 | 显示全部楼层
Thanks
 楼主| 发表于 3 天前 | 显示全部楼层
一般的测试方法取write时两条线的交点,但我不明白的是,所谓margin,应该是一个范围,就像Read noise margin是一个正方形。而write noise margin只是一个交点的值?也有人说是交点到最大电压的差值。
发表于 前天 16:16 | 显示全部楼层


Michael2023 发表于 2025-2-17 21:57
一般的测试方法取write时两条线的交点,但我不明白的是,所谓margin,应该是一个范围,就像Read noise marg ...


你理解的不对,noise margin也是个值,取正方形只是方便取对角线,这个对角线的值就是Noise margin
 楼主| 发表于 前天 22:28 | 显示全部楼层
这种没交点的是怎么回事啊
WNM.png
发表于 昨天 06:42 | 显示全部楼层
SNM 如图  要取多少算 OK ??   
VDD 也可能会变化   SNM 也会变

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