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[求助] 带隙基准选NPN还是PNP

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发表于 6 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一个问题, %)M)PODJWFD]D1Q(U(AE7[T.png ,为什么大多数此结构的带隙基准用的都是PNP?
发表于 6 天前 | 显示全部楼层
在温度传感器的书中讲到,封装产生应力会导致VBE的变化,而PNP的变化更小。
发表于 6 天前 | 显示全部楼层
因为一般CMOS工艺下PNP不需要深N阱,NPN需要深N阱,用PNP省mask
发表于 6 天前 | 显示全部楼层
主要还是因为是在cmos工艺,pnp不用加mask,加mask的npn performance也没有比pnp好。另外还有2#讲的,受应力影响小
发表于 4 天前 | 显示全部楼层
谢谢
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