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查看: 1292|回复: 10

[求助] 求一个简单的IREF电路

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发表于 2025-2-2 14:30:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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需要一个电流基准源,10uA,要做到全片内的,不可以用片外理想电阻。求助,能够提供一些思想或者电路简图即可。
 楼主| 发表于 2025-2-2 14:32:11 | 显示全部楼层
我的上一个帖子里有cadence pz仿真失败的解决方案,各位看完后能提供一下10uA电流源的方案就好了。
发表于 2025-2-2 16:51:24 | 显示全部楼层
书上的不满足需求吗?
 楼主| 发表于 2025-2-2 18:35:28 | 显示全部楼层


wangjius 发表于 2025-2-2 16:51
书上的不满足需求吗?


哪本书?我不清楚,能发个图来吗?thanks
发表于 2025-2-2 23:23:13 | 显示全部楼层
ptat+ctat电流产生吧,trim后精度应该在5%以内

                               
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 楼主| 发表于 2025-2-5 10:10:30 | 显示全部楼层


Vawell 发表于 2025-2-2 23:23
ptat+ctat电流产生吧,trim后精度应该在5%以内


这个我会做,温漂抑制还是挺好的但是corner下漂得很多,ss和ff的电流差值几乎是tt的一倍,请问怎么解决这个问题啊?
发表于 2025-2-5 19:31:21 | 显示全部楼层


RF小白 发表于 2025-2-5 10:10
这个我会做,温漂抑制还是挺好的但是corner下漂得很多,ss和ff的电流差值几乎是tt的一倍,请问怎么解决这 ...


trim啊,只要process corner能trim掉temp+voltage影响在±2%内
发表于 2025-2-6 10:09:53 | 显示全部楼层
带隙基准电压流过零温度系数电阻。电阻肯定要修调。
 楼主| 发表于 2025-2-6 17:35:08 | 显示全部楼层


Vawell 发表于 2025-2-5 19:31
trim啊,只要process corner能trim掉temp+voltage影响在±2%内


是不是这样,我在设计时只需要考虑温漂,至于corner带来的影响,是根据流出来的chip情况进行修正的。也就是说,无法通过一个片内电阻一次性实现所有corner下的基准。
发表于 2025-2-6 18:29:16 | 显示全部楼层


RF小白 发表于 2025-2-6 17:35
是不是这样,我在设计时只需要考虑温漂,至于corner带来的影响,是根据流出来的chip情况进行修正的。也就 ...


是的,只需要考虑温度和电压的影响。process corner只要设计恰当是可以通过trim干掉的
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