STI和WPE

David.Z

有个问题， STI技术是在非有源区的地方挖槽用绝缘介质填充（不知道我说的对不对）， 削弱寄生的影响，但是由于沟槽的绝缘介质处和有源区处会互相挤压，影响靠近STI处器件的性能。 而WPE 是在阱边，因为离子注入时的随机散射，阱边的浓度会比其它地方要多一点， 如果MOS管离阱边太近也会影响它的性能，如图A所示。
问题来了，WPE和STI同时考虑的情况下， 如图B所示， 流程应该时先做NWELL然后上面做MOS管，所以WELL阱边浓度高的地方应该会被挖掉填充绝缘介质的，那么WPE真的能影响到器件吗，现在的情况下看唯一需要考虑的只有STI的问题。难道说STI的槽不够深不足以挖掉阱中浓度高的部分吗？
附带一个问题， 如果C所示， 对于NMOS是不是有对应的PWELL，像图中画出来的那样， 跟NWELL差不多的制作流程。

                               
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嘉然小姐的狗

如你所说，STI的槽不够深不足以挖掉阱中浓度高的部分，你可以想想假如足以全挖掉的话，N阱是不是就会又被STI分割成很多N阱。
附带问题答案当然是PWELL和NWELL制作流程一样了，不然NMOS直接放在PSUB上了，那相当于是制作LVT NMOS了。

David.Z

嘉然小姐的狗 发表于 2025-1-14 09:48
如你所说，STI的槽不够深不足以挖掉阱中浓度高的部分，你可以想想假如足以全挖掉的话，N阱是不是就会又被ST ...

谢谢， 那在SOI工艺中应该就没有WPE效应了吧。

Tdc0001

啊 难道我记错了吗，不是先做AA-PH，后面才是做井方面的注入吧

嘉然小姐的狗

Tdc0001 发表于 2025-1-14 14:20
啊 难道我记错了吗，不是先做AA-PH，后面才是做井方面的注入吧

不清楚你说的AA-PH是指什么，反正STI（浅槽隔离工艺）的流程是N/P well → 挖STI槽 → poly → N/P difftion，阱的注入是第一步，没有步骤在它的前面。

Tdc0001

嘉然小姐的狗 发表于 2025-1-14 14:45
不清楚你说的AA-PH是指什么，反正STI（浅槽隔离工艺）的流程是N/P well → 挖STI槽 → poly → N/P difft ...

AA-PH是做STI的那道工序，我刚看了下确实是你记错了，AA-PH ->N/P well ->DG-PH ->poly ...

Tdc0001

嘉然小姐的狗 发表于 2025-1-14 14:45
不清楚你说的AA-PH是指什么，反正STI（浅槽隔离工艺）的流程是N/P well → 挖STI槽 → poly → N/P difft ...

很详细的0.18um process flow
https://bbs.eetop.cn/thread-846992-1-1.html
(出处: EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网))

嘉然小姐的狗

Tdc0001 发表于 2025-1-15 10:02
AA-PH是做STI的那道工序，我刚看了下确实是你记错了，AA-PH ->N/P well ->DG-PH ->poly ...
...

我参考的资料是《半导体制造技术》第九章里的内容，书中是写阱注入是在STI刻槽前进行的。

根据我个人理解，如果先刻槽的话，阱的注入岂不是会被槽影响。

Tdc0001

嘉然小姐的狗 发表于 2025-1-15 16:02
我参考的资料是《半导体制造技术》第九章里的内容，书中是写阱注入是在STI刻槽前进行的。

根据我个人理 ...

那就奇怪了 这本书 我没有看过，不过我看了下手边集成电路物理设计的相关章节以及网上的资料 还有我曾经的fab厂flow都是先做STI，等我去看看你的书再回复你

嘉然小姐的狗

Tdc0001 发表于 2025-1-15 16:53
那就奇怪了 这本书 我没有看过，不过我看了下手边集成电路物理设计的相关章节以及网上的资料 还有我曾经 ...

我也懵了，确实有部分资料是讲先STI槽再阱注入的，都不知道该信谁了。