梳齿mom电容是否添加via对calibre parasitic c (对地) 影响极大

超高校级摸鱼王

我画了图中所示的custom mom电容，可以看到TOP和BOT金属都加了一堆顶层metal到底层metal贯通的VIA（暂不论drc问题），使用calibre xRC r+c+cc模式进行寄生参数提取，发现是否存在这一堆VIA对到地的寄生c影响极大！   

这里mom的结构是TOP把BOT包在里面，在未添加VIA的情况下，TOP的对地寄生c可达TOP-BOT本征电容的30%，在添加VIA的情况下，TOP的对地寄生c相比前一种情况减小了约10倍！BOT的对地寄生c也减小超过10倍


是否加VIA对TOP和BOT之间的本征电容有很大影响，这我可以理解，毕竟VIA之间也会有电容；但是否加VIA为何会影响对地的寄生c？？让我非常困惑，甚至有点怀疑calibre提取的准确性。请教一下各位大佬，这种现象应该如何理解，以及应该用什么方法才能提取准确的本征和寄生电容值？

lskating

侧壁电容

andyfan

我觉得合理啊，增加VIA，上下层金属都连在一起了，属于电阻连接，对地电容自然变小了，原来是几层金属对地电容的叠加。


而且增加了VIA，侧边相对的电容是增加的，所以对地电容占比就更小了。

超高校级摸鱼王

andyfan 发表于 2025-1-6 07:33
我觉得合理啊，增加VIA，上下层金属都连在一起了，属于电阻连接，对地电容自然变小了，原来是几层金属对地 ...

谢谢回复。请问最上层金属到地的电容不是和下层金属的正对电容一一串联的吗，串联之后应该也是约等于最底层金属对地的电容？不知道这样理解是否正确