LDO瞬态仿真出现过充电压

xuexic

小白正在学习LDO，电路结构是折叠式共源共栅+源跟随器+功率pmos，用了米勒电容和调零电阻，输出端还挂了一个100pF的小电容
stb仿真时，轻载和重载相位裕度都是足够的，但是轻载跑瞬态时，电路启动会有接近VDD的过充电压

                               
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这个过充电压我发现延长VDD的上升时间就可以改善，还请佬们指点这个过充是否与电路有关
进行负载变化的仿真时，发现重载转轻载时也会很高的过充电压，也不知道怎么改善，希望能得到各位前辈的指点！

                               
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zhcwoniu

1、电路启动时产生的过冲，大概率是软启动需要优化
2、负载跳变产生的过冲和下冲可以看下这篇：

xuexic

zhcwoniu 发表于 2025-1-3 08:58
1、电路启动时产生的过冲，大概率是软启动需要优化
2、负载跳变产生的过冲和下冲可以看下这篇：

好的好的，感谢回复，我去学习一下

jojenwong

zhcwoniu 发表于 2025-1-3 08:58
1、电路启动时产生的过冲，大概率是软启动需要优化
2、负载跳变产生的过冲和下冲可以看下这篇：

请教一下，就算上电启动时产生过冲，大概率最大也就是到电源电压，这样也不会有过压问题，需要优化软启动吗

semico_ljj

zhcwoniu 发表于 2025-1-3 08:58
1、电路启动时产生的过冲，大概率是软启动需要优化
2、负载跳变产生的过冲和下冲可以看下这篇：

zan....

xuexic

zhcwoniu 发表于 2025-1-3 08:58
1、电路启动时产生的过冲，大概率是软启动需要优化
2、负载跳变产生的过冲和下冲可以看下这篇：

想再请教一下，我仿真的时候发现延长ea的Vref建立的时间，启动产生的过充也会消失，这个也属于软启动吗