折叠共源共栅增益太小

1075724850 · 发表于 2024-12-20 11:56:10

zwtang 发表于 2024-12-20 11:53
放大管的各个MOS管的gm和rds都仿真得到，自己再手动计算一下，就明白如何提高了。 ...

谢谢您，我想问下这种架构给4uA的电流增益要想做到100dB困难吗

迷路大脸猫 · 发表于 2024-12-20 15:09:11

总电压才1.2。vds太小了，增大又恶化摆幅，你只能权衡。

zwtang · 发表于 2024-12-20 15:16:38

1075724850 发表于 2024-12-20 11:56
谢谢您，我想问下这种架构给4uA的电流增益要想做到100dB困难吗

100dB，很难达到。

1075724850 · 发表于 2024-12-20 16:30:48

zwtang 发表于 2024-12-20 15:16
100dB，很难达到。

谢谢您，但是我这篇论文里说能达到100dB，我现在也不知道怎么办了

chf1 · 发表于 2024-12-21 15:59:13

1075724850 发表于 2024-12-20 16:30
谢谢您，但是我这篇论文里说能达到100dB，我现在也不知道怎么办了

真的是同一个工艺嘛？
会不会是最大能达到这么多，可能在别的corner下可以达到，但差别也不会这么大吧？

Vds在65nm下对增益的影响挺大的，你尽量留多一点vds给pmos管

1075724850 · 发表于 2025-1-17 15:25:26

chf1 发表于 2024-12-21 15:59
真的是同一个工艺嘛？
会不会是最大能达到这么多，可能在别的corner下可以达到，但差别也不会这么大吧？
...

都是tsmc65，我现在做到82dB，和师兄讨论了下也差不多可以了

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