tsmc65nm工艺中三端电阻的用法，后缀为m和mx电阻的区别

长江头TM

做了一个LDO，一开始反馈电阻网络都用的rnpoly_m电阻，第三端接地，发现相位裕度和环路增益怎么都调不好，换成理想电阻之后马上变好了，之后又试了rnpoly和rnpoly_mx电阻，效果也都很好，试过的三种电阻的阻值和各个参数都一样。
1. 想问一下为什么？如果是因为三端电阻rnpoly_m带有寄生参数，那么我用后缀为mx去仿结果也很好呀？另外寄生参数真的会对电路产生这么大的影响吗？相位裕度相差20°
2. mx和m的版图是一样的，我理解的区别是mx自动接到了VSS上，如图电路上也出现了一个vss！的地线，这个vss！在版图中会怎么去连接呢？
3. 我现在应该继续用rnpoly_m去试着调好还是直接用rnpoly_mx呢？直接用rnpoly_mx到画版图的时候会不会出问题。
第一次用tsmc65，很多不清楚的地方。