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[求助] 低噪声LDO片外电容相关问题

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发表于 前天 15:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

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笔者是ic小白,在阅读相关低噪声LDO设计的文献时,发现很多会在基准电路输出端添加RC滤波器,将基准电路输出电压中的高频噪声滤除掉。如果需要设计低噪声无片外电容型LDO,这种RC滤波器中的电容算不算所谓的片外电容?所谓的片外电容是指在负载端的大电容吗?谢谢!
发表于 前天 15:32 | 显示全部楼层
算片外电容,一般片外电容很大,截止频率才能到低频;
可以看这篇文章
A Low Noise Output Capacitor-less Low
Dropout Regulator with a Switched-RC
Bandgap Reference
发表于 前天 16:53 | 显示全部楼层
LDO的参考信号会被放大至输出,参考电压低噪声是输出电压低噪声的前提,尤其是低频噪声,因为LDO这个环路自身也是个高频滤波,很难滤除低频噪声。
发表于 前天 17:14 | 显示全部楼层
不加bg滤波哪来的低噪声参考源,你参考源都不干净,怎么能做一个干净的LDO。
一个滤波后的干净的bg不仅能给ldo用,还能给DAC、ADC、等等其他模块用。很多MCU芯片都有管脚伸出来让你挂个电容,就是为了bg滤波。
 楼主| 发表于 前天 18:43 | 显示全部楼层
哦哦我懂了,谢谢各位。
发表于 昨天 08:31 | 显示全部楼层
除了加大C,也可以加大R啊,有把MOS管工作在线性区等效于M级电阻的
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