LDO设计

L24_3

  各位大佬好，我是刚刚接触模拟ic的小白，导师给我的任务是做一个capless LDO。现在不知道如何去入手，请各位好心人不吝指教。指标如下：

1.使用0.18um工艺。
2.输出电压1.2V
3.相位裕度>60°
4.过冲幅度优于120mV.（1us时间内负载电流在1-50mA跃变）
5.静态功耗不高于100uW
6.线性调整率：12mV/V
7.最大调整时间：优于8us.
能不能推荐一些比较适合入门的基本的LDO结构的相关文献我先进行复现。

zhcwoniu

这是我开始做LDO初看的论文
Mora 博士论文.pdf (3.23 MB, 下载次数: 64 )

2024-12-12 08:12 上传

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CMOS低压差线性稳压器 王忆，何乐年.pdf (14.15 MB, 下载次数: 43 )

2024-12-12 08:13 上传

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CCHENGW

输出电容多大，电压多大，做着练手还是实际用

xdy609841687

nmos ldo ＋ 环路内cp，除了增益低调整率差一点，会有cp纹波外，算是大负载capless ldo比较优的解了，不太吃你的负载电容和负载电流，fvf的话就比较在乎负载了

313949724

谢谢

N##A##N

2007_JSSC_A Low-Dropout Regulator for SoCWith Q-Reduction  这篇论文适合初学者复现

N##A##N

2007_JSSC_A Low-Dropout Regulator for SoCWith Q-Reduction  这篇论文可以看看

yangleiqiang

capless ldo 内部也是有电容的，没有电容何谈电流的瞬态响应呢