主要噪声的形成以及隔离方法

zhaohaoyang

由于流入衬底的电流引起衬底电压波动而形成的衬底噪声，或与信号线之间寄生电容耦合导致的串扰噪声。

衬底噪声隔离方法：

1）     工艺上采用SOI型衬底、浅掺杂衬底、深N阱隔离技术等来减少衬底噪声干扰。SOI工艺：在硅晶片下增加氧化层的绝缘；浅掺杂衬底：射频CMOS工艺下；深N阱隔离技术：将敏感的模块或射频电路放在深N阱中。

2）增大芯片上敏感的模拟模块和数字模块之间的距离，可以减少衬底的耦合效应。

3） 使用保护环来隔离电路模块。

单层保护环。单层保护环由多子保护环构成。

双层保护环。多子保护环和少子保护环构成。

4）将电源线、地线分开。可分为：模拟电源线/地线、数字电源线/地线；高压电源线/地线、低压电源线/地线；大功率电源线/地线、小功率等。