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查看: 379|回复: 5

[求助] 低功耗放大器能用gmid方法设计吗

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发表于 2024-12-9 17:37:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我需要设计一个低功耗放大器(总电流大概是500nA到1uA),我尝试用gmid方法设计,发现管子的W都变得非常小,全变成倒比管了。

想请问下各位大佬,低功耗放大器能用gmid方法设计吗,如果可以的话倒比管有影响吗,如果不行的话要怎么设计呢,谢谢!
发表于 2024-12-9 19:34:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 八脚蜘蛛 于 2024-12-9 19:41 编辑

可以用gmid,可以用倒比管,扫描的时候L和W设大一点,让W不要太小,把带宽设计得低一点,带宽跟功耗正相关,低功耗与高带宽是矛盾的,如果需要更快响应速度就只能从电路结构上入手。
发表于 2024-12-10 06:05:21 | 显示全部楼层
倒比管,VGS-VTH更大,怎么可能低功耗呀?W/L非常大,VGS-VTH<0,处于亚阈值,这样才可能低功耗。
 楼主| 发表于 2024-12-10 11:28:47 | 显示全部楼层


zwtang 发表于 2024-12-10 06:05
倒比管,VGS-VTH更大,怎么可能低功耗呀?W/L非常大,VGS-VTH


您好,我的思路是,取gm/id=10左右,也就是过驱动电压是200mV左右,保证所有管子都在饱和区,在这个前提下,我扫id/w和gm/id的曲线,发现管子全变倒比管了。

我的理解是,根据电流的平方律公式,如果id很小,要维持200mV的过驱动电压,那么管子的宽长比也要减小,就会变成倒比管,不知道我的理解对不对。
发表于 2024-12-10 11:45:40 | 显示全部楼层


1075724850 发表于 2024-12-10 11:28
您好,我的思路是,取gm/id=10左右,也就是过驱动电压是200mV左右,保证所有管子都在饱和区,在这个前提 ...


过驱动电压是200mV,不在亚阈值区,gm/ID能效比不高。
你做的不是低功耗电路,是常规电路。
发表于 2024-12-10 13:50:22 | 显示全部楼层
发错了。。。
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