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[求助] 面试被问到n管自衬底怎么处理?请教什么是自衬底,版图中自衬底的管子是什么样的?

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发表于 昨天 15:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
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为了看看你知不知道deep nwell。psub一般是固定vss,nmos的bulk要做到别的电位,就需要一个isolated pwell,这个isolated pwell需要放在deep nwell里面
发表于 昨天 15:50 | 显示全部楼层
本帖最后由 Vawell 于 2024-12-4 16:24 编辑

为了看看你知不知道deep nwell。psub一般是固定vss,nmos的bulk要做到别的电位,就需要一个isolated pwell,这个isolated pwell需要放在deep nwell里面
发表于 昨天 15:52 | 显示全部楼层
同问,衬底就衬底呗,咋还整个自衬底出来。
发表于 昨天 15:53 | 显示全部楼层
PMOS 独立电位了解不?N管一个道理
 楼主| 发表于 昨天 16:05 | 显示全部楼层


maomao198477 发表于 2024-12-4 15:53
PMOS 独立电位了解不?N管一个道理



                               
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大佬,是不是就像NMOS的差分对管,衬底不一定接地,这就是自衬底吗
 楼主| 发表于 昨天 16:19 | 显示全部楼层
真心感谢各位大佬的帮助,祝大家工作顺利 八方来财 !
发表于 昨天 18:02 | 显示全部楼层


夏弥 发表于 2024-12-4 16:05
大佬,是不是就像NMOS的差分对管,衬底不一定接地,这就是自衬底吗


很多时候这种情况也被称作热阱 (hot well)

发表于 昨天 18:05 | 显示全部楼层


夏弥 发表于 2024-12-4 16:05
大佬,是不是就像NMOS的差分对管,衬底不一定接地,这就是自衬底吗


sub端和自己的S端相连不是接地的就是自衬,升降压的地方会常碰到,但差分这里不是这个作用,接地也是可以的,看电路需求
发表于 昨天 18:09 | 显示全部楼层
自衬底可以让器件所处的环境更干净,消除管子的衬偏效应,需要结合工艺的剖面图来选择适当的方式将自衬底阱与其他阱隔开。比如NWELL之间加PTAP,有深阱工艺的需要用到DNWELL隔离,高压工艺需要用HVPTAP将不同的DNWELL隔开,有一些工艺的DNWELL与其中的NWELL要求相同电位,都需要结合所使用工艺的design rule来选择相应方式处理。
衬偏&阈值电压.png
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