ballast Resistor电阻

阿举立志做模拟 · 发表于 2024-11-20 15:34:02

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the positive temperature coefficient of the resistance of nt-diffusion (called Ballast Resistors) at the drain prevents current from concentrating in a localized region请问这句话怎么理解呢

IC_Spark · 发表于 2025-4-10 16:47:25

ESD NMOS如果不加SAB或者加ballast resistor会导致不均匀触发，也就是最中间的finger最先触发，且触发后由于snapback导致其他finger根本没机会触发。加了ballast resistor可以在最中间的触发后由于电阻上压降迫使其他finger也可以达到Vt1。正温度系数对于这种现象更好，因为瞬态的ESD电流会导致温度上升，电阻增大，更利于其他finger触发

gcwen · 发表于 2025-4-18 13:21:56

另外2个方案可以参考：
1优化设计，使得Vt1<Vt2，这样即便只有几根finger先触发，进入snapback后仍然可以触发其他finger；
2使用gcNMOS，

阿举立志做模拟 · 发表于 2025-4-27 16:13:13

IC_Spark 发表于 2025-4-10 16:47
ESD NMOS如果不加SAB或者加ballast resistor会导致不均匀触发，也就是最中间的finger最先触发，且触发后由 ...

感谢

阿举立志做模拟 · 发表于 2025-4-27 16:15:01

gcwen 发表于 2025-4-18 13:21
另外2个方案可以参考：
1优化设计，使得Vt1

感谢

Anihacyo · 发表于 2025-11-11 08:44:54

IC_Spark 发表于 2025-4-10 16:47
ESD NMOS如果不加SAB或者加ballast resistor会导致不均匀触发，也就是最中间的finger最先触发，且触发后由 ...

想请教为啥A的drain端电阻上的压降会迫使别的finger触发呀

IC_Spark · 发表于 2025-12-3 16:17:22

Anihacyo 发表于 2025-11-11 08:44
想请教为啥A的drain端电阻上的压降会迫使别的finger触发呀

最先触发的finger由于串了电阻，使得这根finger的Vt2大于其余finger的Vt1，这样其他的finger都可以有触发的机会

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