pad串接电阻保护输入管gate，为啥要选用poly电阻呢？

icliupengzhi123 · 发表于 2024-11-15 15:29:11

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有朋友研究过，pad串接电阻保护输入管gate这种，fab提供的文档一般都推荐用poly电阻，想问下这个电阻有啥讲究吗，用阱电阻或者扩散电阻，或者是高值电阻，行还是不行呢？选用poly是基于散热考虑么？

icliupengzhi123 · 发表于 2024-11-15 15:43:13

自己回复一下
不选用阱电阻或者扩散电阻是因为在esd泄放的过程中，这两个电阻器件有PN结，这个pn结有击穿的风险
不选用高值电阻是因为高值电阻面积小，不利于散热
不知道这两点是不是考虑选用poly电阻原因呢

zt2455 · 发表于 2024-11-15 15:46:09

poly电阻通用一点，不用增加mask？

icliupengzhi123 · 发表于 2024-11-15 16:00:01

zt2455 发表于 2024-11-15 15:46
poly电阻通用一点，不用增加mask？

那扩散电阻和阱电阻也不增加mask哇

zt2455 · 发表于 2024-11-15 16:05:53

1.热稳定性好，高温下阻值变化小
2. 布局方便
3.对高压ESD事件，又更好的承受能力
4.电流分布均匀，有助于避免电流热点，提高ESD保护可靠性
以上来自AI

icliupengzhi123 · 发表于 2024-11-15 16:14:40

zt2455 发表于 2024-11-15 16:05
1.热稳定性好，高温下阻值变化小
2. 布局方便
3.对高压ESD事件，又更好的承受能力

对于第三点不太理解，其他几种类型的电阻承受能力差么，承受能力是指的电压还是电流呢，有详细一点点的解释么

acrofoxAgain · 发表于 2024-11-16 09:45:44

其实大部分情况用阱电阻并没有问题，以前有很多电路用阱电阻的。在标准CMOS工艺中，NW/PSUB结的击穿电压也是最高的，不用担心这个结先于ESD保护电路击穿的风险。

icliupengzhi123 · 发表于 2024-11-18 09:47:41

acrofoxAgain 发表于 2024-11-16 09:45
其实大部分情况用阱电阻并没有问题，以前有很多电路用阱电阻的。在标准CMOS工艺中，NW/PSUB结的击穿电压也 ...

好的谢谢，但paper上写的基本都是用poly，既然阱电阻也可以用，那poly的优势体现在哪儿呢，面积紧凑？

acrofoxAgain · 发表于 2024-11-18 10:24:01

我想，至少阱电阻的寄生电容比多晶电阻大。这点电容可能对有些电路没影响，但是fab需要对每一种ESD结构都进行验证，既然poly电阻好使，何苦再去验证另一种呢。

icliupengzhi123 · 发表于 2024-11-18 11:00:01

acrofoxAgain 发表于 2024-11-18 10:24
我想，至少阱电阻的寄生电容比多晶电阻大。这点电容可能对有些电路没影响，但是fab需要对每一种ESD结构都进 ...

谢谢，有一定道理

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