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这篇ISSCC介绍如何控制衬底漏电,用的是180nm和22nm工艺,如图,用一个运放将P井电位和衬底电位拉平,问题是我没见过5端口器件,请问大家有了解的吗?
昨天我把论文看完了,感觉有几个疑问大家一起来讨论讨论。1,这篇文章里的运放功耗极低,只有几十nW,我很好奇论文里除了三级运放外还用了两个负反馈运放,这两个运放要稳定电压照理说增益不能太低,难道不消耗功耗?2. 论文中提到这个三级运放是用在物联网传感器里的,我很好奇到低是什么应用需要这么低的功耗,脑机接口?
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