动态比较器仿真时，发现有个节点的电压超过VDD，使得PMOS管D-B之间的二极管正偏

lxyncutstu

单个latch动态比较器tran仿真时，有很多警告，The bulk-drain junction current exceeds `imelt'.

警告

后来看了下这个节点的电压


发现，有些时刻超过了VDD=3.3，导致的二极管正偏；为什么会出现这个问题呢？是不是管子设置得不合理？
还有个问题想请教大家，瞬态流经电源的电流达到了5mA，这个算正常不，因为它有时候老提醒我流经的电流很大