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[求助] 关于一个新型超低功耗运放的讨论

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发表于 5 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 tangyaoyun 于 2024-11-13 11:06 编辑

不明觉厉啊,这篇ISSCC介绍如何控制衬底漏电,用的是180nm和22nm工艺,如图,用一个运放将P井电位和衬底电位拉平,问题是我没见过5端口器件,请问大家有了解的吗?


      看来大家还挺感兴趣,昨天我把论文看完了,感觉有几个疑问大家一起来讨论讨论。1,这篇文章里的运放功耗极低,只有几十nW,我很好奇论文里除了三级运放外还用了两个负反馈运放,这两个运放要稳定电压照理说增益不能太低,难道不消耗功耗?2. 论文中提到这个三级运放是用在物联网传感器里的,我很好奇到低是什么应用需要这么低的功耗,脑机接口?
捕获.PNG

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应大家要求,论文在这里

发表于 5 天前 | 显示全部楼层
可以分享出原文吗,谢谢!
发表于 5 天前 | 显示全部楼层
DNW的NMOS是6端器件
 楼主| 发表于 5 天前 | 显示全部楼层


iTaogo 发表于 2024-11-12 17:41
可以分享出原文吗,谢谢!

ISSCC 2024
3.10 A 0.69/0.58-PEF 1.6nW/24nW Capacitively Coupled Chopper  Instrumentation Amplifier with an Input-Boosted First Stage in  22nm/180nm CMOS
发表于 5 天前 | 显示全部楼层
热阱 隔离器件
发表于 5 天前 | 显示全部楼层
VDD DNW相当给Isub加了个背靠背diode,控制衬底漏电
发表于 5 天前 | 显示全部楼层
请将原文分享出来看一下
发表于 4 天前 | 显示全部楼层
感谢分享!!!
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