如果片内需要三个时钟，80MHz，90MHz，120MHz。

orientview · 发表于 2024-11-10 22:02:32

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可以通过三个pad，把这三个时钟引入到芯片内部吗？

会不会有窜扰？有哪些需要注意的地方了？

hxy2018 · 发表于 2024-11-11 09:55:26

为啥要外接？内部用pll生产不可以么

sara9233 · 发表于 2024-11-11 10:28:51

120Mhz时钟，通过PAD引进，PAD电容都~20pF，噪声大，波形差。片外输入不太靠谱

daviehj · 发表于 2024-11-11 10:28:52

这频率已经有点高了，为什么不是用PLL？

wkp1992101 · 发表于 2024-11-11 17:30:52

这是正好24M输入，PLL倍频到720M，通过分频器整数分频就可以得到80M、90M和120M的时钟了。

orientview · 发表于 2024-11-11 22:53:17

sara9233 发表于 2024-11-11 10:28
120Mhz时钟，通过PAD引进，PAD电容都~20pF，噪声大，波形差。片外输入不太靠谱 ...

什么pad的电容有20pF?这么大？

sara9233 · 发表于 2024-11-12 15:07:07

orientview 发表于 2024-11-11 22:53
什么pad的电容有20pF?这么大？

看一些datasheet上描述。
之前提过一个PAD的寄生参数，~10pF。然后还有bonding线，焊盘之类的。一般芯片内设计IO，都考虑20pF的负载电容

orientview · 发表于 2024-11-12 15:18:33

sara9233 发表于 2024-11-12 15:07
看一些datasheet上描述。
之前提过一个PAD的寄生参数，~10pF。然后还有bonding线，焊盘之类的。一般芯片 ...

我觉得不太靠谱，20pF，这是多大的电容了？

sara9233 · 发表于 2024-11-12 15:33:46

orientview 发表于 2024-11-12 15:18
我觉得不太靠谱，20pF，这是多大的电容了？

我做这个考虑，是基于以前看flash的datasheet，
那请问，你门一般考虑IO上的电容是多大呢？

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