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[求助] 如果片内需要三个时钟,80MHz,90MHz,120MHz。

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发表于 7 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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可以通过三个pad,把这三个时钟引入到芯片内部吗?

会不会有窜扰?有哪些需要注意的地方了?
发表于 6 天前 | 显示全部楼层
为啥要外接?内部用pll生产不可以么
发表于 6 天前 | 显示全部楼层
120Mhz时钟,通过PAD引进,PAD电容都~20pF,噪声大,波形差。片外输入不太靠谱
发表于 6 天前 | 显示全部楼层
这频率已经有点高了,为什么不是用PLL?
发表于 6 天前 | 显示全部楼层
这是正好24M输入,PLL倍频到720M,通过分频器整数分频就可以得到80M、90M和120M的时钟了。
 楼主| 发表于 6 天前 | 显示全部楼层


sara9233 发表于 2024-11-11 10:28
120Mhz时钟,通过PAD引进,PAD电容都~20pF,噪声大,波形差。片外输入不太靠谱 ...


什么pad的电容有20pF?这么大?
发表于 5 天前 | 显示全部楼层


orientview 发表于 2024-11-11 22:53
什么pad的电容有20pF?这么大?


看一些datasheet上描述。
之前提过一个PAD的寄生参数,~10pF。然后还有bonding线,焊盘之类的。一般芯片内设计IO,都考虑20pF的负载电容

 楼主| 发表于 5 天前 | 显示全部楼层


sara9233 发表于 2024-11-12 15:07
看一些datasheet上描述。
之前提过一个PAD的寄生参数,~10pF。然后还有bonding线,焊盘之类的。一般芯片 ...


我觉得不太靠谱,20pF,这是多大的电容了?
发表于 5 天前 | 显示全部楼层


orientview 发表于 2024-11-12 15:18
我觉得不太靠谱,20pF,这是多大的电容了?


我做这个考虑,是基于以前看flash的datasheet,
那请问,你门一般考虑IO上的电容是多大呢?

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