不同工艺节点的OPAMP指标大概是什么样的

dip

大家好，楼主是模拟IC小白一枚，最近在做简单的放大器练练手，看了复旦的二级运放设计讲义，电路中每个管子的尺寸是根据指标要求一步步推算出来的。但是现在很多设计都是在0.18um工艺下做的，楼主手上只有65nm工艺和28nm工艺库，感觉Vdd和指标得重新定，但是完全不知道该从何下手定一个比较合适的指标。因为也没有其它项目经验，所以想问问大家有没有不同工艺下，对于Opamp基本的指标要求大概是多少（我知道可能根据不同应用场景会有不同指标要求，但楼主只是想练习下，所以能做到一些基本的指标就可以了）。


或者想请教下各位有没有什么综述文献或者思路可以知道，一个电路拓扑大概能做到什么性能。我暂时貌似没找到相关文献，只找到一篇里面提到不同工艺下电源电压和单级能做到的Gain的图（Ref：ATechnique to Reduce the Capacitor size in Two Stage Miller compensated opamp）：

私想小子

没有用过65/28的，可能可以考虑搜一篇65/28的论文，20年以内的，别人啥spec,你就先按那spec去试试。