mos管gm/id能达到多大？

yumosky · 发表于 5 小时前

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最近有一门课作业复现论文，我选的JSSC 2003年那篇[size=14.612px]Ka Nang Leung的capfree LDO，”A Capacitor-Free CMOS Low-Dropout Regulator With Damping-Factor-Control Frequency Compensation”。

读的时候有一点疑惑，里面写道LDO的功率晶体管在稳定性最差情况下，也就是零负载的时候，只流过1~5uA的电流，却产生5~10mS的跨导。我寻思这样这管子也太离谱了吧，gm/id都上千了，但就算亚阈值的管子不也才二十几。

请问是真的可以做到gm/id很大，还是说我对文章理解有问题？望精读过这篇paper的大佬解读下

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