epitaxy长完之后前层mark形变，photo无法对准该如何处理？

猪咪和胖福 · 发表于 2024-10-31 08:42:18

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

BCD工艺的NBL需要在EPI之前做好，做完再长EPI，但是长完EPI后前层的align mark会因为EPI制程而产生形变，造成下一道photo对准困难，或者无法对准而曝光暂停，请问大家有何解决方法？

PN_Allen · 发表于 2024-10-31 08:57:42

epi是所有地方都需要长吗？把mark区域block呢？

acrofoxAgain · 发表于 2024-10-31 09:02:44

PN_Allen 发表于 2024-10-31 08:57
epi是所有地方都需要长吗？把mark区域block呢？

epi是高温生长，只能是整体一起生长的啊

猪咪和胖福 · 发表于 2024-11-7 17:12:38

PN_Allen 发表于 2024-10-31 08:57
epi是所有地方都需要长吗？把mark区域block呢？

EPI是整层长的，我所有的device相当于都做在EPI上

[求助] epitaxy长完之后前层mark形变，photo无法对准该如何处理？