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[求助] 采用65nm工艺的1Vpmos管做LDO的功率管问题

发表于 2024-10-29 19:26:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟在用65nm工艺的做一个1.8V转1.0VLDO，采用的1V的pmos做功率管，但是发现了栅极会有一个uA级电流注入栅极，我换用一个90nm的1.2V管后发现也有类似的情况，但是电流是在nA级。然后用65nm的2.5V就完全没有电流注入的问题，想请教一下是因为在低制程下这种大电流负载会对mos管的栅极有一个类似充电的需求吗

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