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[讨论] BCD工艺,DMOS器件

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发表于 2024-10-27 15:43:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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BCD工艺,DMOS器件中心是D,两边是S和中心是S有什么区别?
发表于 2024-10-30 10:53:47 来自手机 | 显示全部楼层
D是deep,深阱。你可以先了解下这种器件的剖面图
 楼主| 发表于 2024-11-2 15:02:10 | 显示全部楼层


wangxiaoyue 发表于 2024-10-30 10:53
D是deep,深阱。你可以先了解下这种器件的剖面图


谢谢回答,请问同样是深N阱,从电流流向或者是工艺制造方面讲,器件中心是D,两边是S和中心是S有什么区别?
发表于 前天 11:05 | 显示全部楼层
高压、带隔离环的 DEMOS 和 LDMOS,出于隔离的需求,常把电压高的节点拉到外面,有时也和 ISO Ring 共用。

因此 P 管通常是 S 在外面,D 在里面。N 管则是 S 在里面,D 在外面。
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