在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 492|回复: 3

[讨论] BCD工艺,DMOS器件

[复制链接]
发表于 2024-10-27 15:43:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
BCD工艺,DMOS器件中心是D,两边是S和中心是S有什么区别?
发表于 2024-10-30 10:53:47 来自手机 | 显示全部楼层
D是deep,深阱。你可以先了解下这种器件的剖面图
 楼主| 发表于 2024-11-2 15:02:10 | 显示全部楼层


wangxiaoyue 发表于 2024-10-30 10:53
D是deep,深阱。你可以先了解下这种器件的剖面图


谢谢回答,请问同样是深N阱,从电流流向或者是工艺制造方面讲,器件中心是D,两边是S和中心是S有什么区别?
发表于 2024-11-13 11:05:39 | 显示全部楼层
高压、带隔离环的 DEMOS 和 LDMOS,出于隔离的需求,常把电压高的节点拉到外面,有时也和 ISO Ring 共用。

因此 P 管通常是 S 在外面,D 在里面。N 管则是 S 在里面,D 在外面。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-21 21:31 , Processed in 0.016963 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表