BCD工艺，DMOS器件

JiangLihua · 发表于 2024-10-27 15:43:17

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

BCD工艺，DMOS器件中心是D，两边是S和中心是S有什么区别？

wangxiaoyue · 发表于 2024-10-30 10:53:47

D是deep，深阱。你可以先了解下这种器件的剖面图

JiangLihua · 发表于 2024-11-2 15:02:10

wangxiaoyue 发表于 2024-10-30 10:53
D是deep，深阱。你可以先了解下这种器件的剖面图

谢谢回答，请问同样是深N阱，从电流流向或者是工艺制造方面讲，器件中心是D，两边是S和中心是S有什么区别？

agu1999 · 发表于 2024-11-13 11:05:39

高压、带隔离环的 DEMOS 和 LDMOS，出于隔离的需求，常把电压高的节点拉到外面，有时也和 ISO Ring 共用。

因此 P 管通常是 S 在外面，D 在里面。N 管则是 S 在里面，D 在外面。

JiangLihua · 发表于 2025-1-12 21:09:24

agu1999 发表于 2024-11-13 11:05
高压、带隔离环的 DEMOS 和 LDMOS，出于隔离的需求，常把电压高的节点拉到外面，有时也和 ISO Ring 共用。
...

谢谢回复学习了

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] BCD工艺，DMOS器件