为什么全bjt运放的等效输入噪声相比全mos的运放会低特别多

mimmimhu · 发表于 2024-10-20 20:38:59

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拿1khz处的等效输入噪声来说，mos的运放等效输入噪声密度约为几百nv~几uv，全bjt的运放等效输入噪声很轻松就可以达到10nV以下的噪声密度，也没有特别的降噪结构，有大佬了解其中的原因吗，可以详细讨论一下吗，或者有做过同样设计的有同样疑问的同志也可以发表以下意见！！！

mimmimhu · 发表于 2024-10-20 20:54:16

metotj · 发表于 2024-10-21 12:24:06

mimmimhu 发表于 2024-10-20 20:54
https://www.ti.com/lit/ab/sboa35 ... duckduckgo.com%252F

Op Amp Technology Overview | Video | TI.co ...

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iczero · 发表于 2024-10-29 16:50:43

mimmimhu 发表于 2024-10-20 20:54
https://www.ti.com/lit/ab/sboa35 ... duckduckgo.com%252F

Op Amp Technology Overview | Video | TI.co ...

2sc3357 · 发表于 2024-10-29 17:02:29

1/f拐点频率低

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[讨论] 为什么全bjt运放的等效输入噪声相比全mos的运放会低特别多