遇到一个耐压的问题

liuxinyua · 发表于 2024-10-14 10:56:58

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低压PMOS管的VGS在上电会达到3.6V，但是其耐压只有1.5V，大概持续时间2us左右，这是否会击穿呢，求前辈解答一下

xuwenwei · 发表于 2024-10-14 10:58:53

这个你可以看看栅氧层厚度，工艺文件中也会提到击穿电压是多少，话说就算告诉你不能击穿你敢这么去流片吗，电压大那么多

andyfan · 发表于 2024-10-14 11:23:48

xuwenwei 发表于 2024-10-14 10:58
这个你可以看看栅氧层厚度，工艺文件中也会提到击穿电压是多少，话说就算告诉你不能击穿你敢这么去流片吗 ...

这个确实，就算因为时间短，不会马上击穿；累计下去，也会发生累计效应造成的可靠性问题。

acrofoxAgain · 发表于 2024-10-14 11:45:33

太高了吧，即使没达到击穿电压，也有风险。改下电路，或者加个钳位吧

smsir123 · 发表于 2024-10-14 13:56:18

会影响可靠性和寿命的，如果1.5是工作电压的max可能还好，但你都说了是bv。

semico_ljj · 发表于 2024-10-14 17:19:32

耐压只有1.5V? 1.2V器件麽，可以短时间抗2V。

liuxinyua · 发表于 2024-10-14 17:56:37

semico_ljj 发表于 2024-10-14 17:19
耐压只有1.5V? 1.2V器件麽，可以短时间抗2V。

不是呀，是常规耐压1.5V.如果乘以百分之10就是1.65，但是距3.几V仍相差甚远

liuxinyua · 发表于 2024-10-14 17:57:36

acrofoxAgain 发表于 2024-10-14 11:45
太高了吧，即使没达到击穿电压，也有风险。改下电路，或者加个钳位吧

是用来做TRIM的，我打算换成5V的管子了

liuxinyua · 发表于 2024-10-14 17:58:31

xuwenwei 发表于 2024-10-14 10:58
这个你可以看看栅氧层厚度，工艺文件中也会提到击穿电压是多少，话说就算告诉你不能击穿你敢这么去流片吗 ...

好，谢谢您，我不敢

semico_ljj · 发表于 2024-10-15 16:11:36

liuxinyua 发表于 2024-10-14 17:56
不是呀，是常规耐压1.5V.如果乘以百分之10就是1.65，但是距3.几V仍相差甚远
...

如果是常规1.5V，常温下可以耐压到接近3V。
所谓×105～20的保守耐压是指能保持10年在80度以上高温和80%以上的湿度环境中
你这个瞬态超过3.XV有一点危险的，虽然是几个uS（这是你仿真还是实测？）

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