反向器延迟时间分析

演夏 · 发表于 2024-9-18 10:39:32

想问问各位大佬，为什么这个结构可以实现Vc增加，延迟时间增加的功能呢？求帮忙分析一下电路

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hxy2018 · 发表于 2024-9-18 10:39:33

这个是两级反相器级联，实现delay功能吧。当inv的后端从0到1时，后面接的Vc连接的CMOS的D端电压会增加，如果Vc增大，那么Vc连接的CMOS管电流会变大，导致给后面的电流变小，会增大transition时间，导致delay变大。当inv的后端从1到0时，后面接的Vc连接的CMOS的D端电压会降级，S端连接的相当于一个二极管，电流不会逆流，那么这个时候的transition会很小，delay也很小。由于两个inv级联，不管in是从0到1，还是从1到0，后面总有一个Vc连接的CMOS充电，导致transition变大，delay增加。如果只有一级inv, 只会在一个沿delay增加

canglaoshi01 · 发表于 2024-9-18 12:59:01

用了mos的电容编号区域，Vc变了，电容变了，下面的管子是主力

演夏 · 发表于 2024-9-18 14:27:03

canglaoshi01 发表于 2024-9-18 12:59
用了mos的电容编号区域，Vc变了，电容变了，下面的管子是主力

谢谢哥，但是我发现调节Vc连接的MOS管尺寸会增大延迟时间，但是增加最下面管子的尺寸不会显著增大延迟时间呀，为什么下面的管子是主力呢

xiaoAfeng · 发表于 2024-9-18 14:39:23

我的理解：调节VC连接的MOS管，就相当于调节了这条支路电流，使得给下一级反相器MOS电容充电的电流变小了，所以延迟增大了

jjkbbq · 发表于 2024-9-19 11:25:40

你把那个二极管去掉，应该还是一样的现象，我觉得也是驱动电流变小了，导致延迟增加，二极管的作用应该是源退化结构，增大线性度范围

yangleiqiang · 发表于 2024-9-19 13:35:43

负载电流影响delay

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